我們的檢測(cè)有哪些優(yōu)勢(shì)?

產(chǎn)品評(píng)估：成分分析，分析成分比例，改善生產(chǎn)缺陷，提升產(chǎn)品品質(zhì)性能

政府監(jiān)管：工商檢測(cè)，市場(chǎng)監(jiān)督，項(xiàng)目投標(biāo)招標(biāo)，申請(qǐng)退稅基金等

上市品控：保證自己的產(chǎn)品能順利進(jìn)入各種電商品臺(tái)，商超等

打通市場(chǎng)：增強(qiáng)企業(yè)的認(rèn)知可信度，擴(kuò)大市場(chǎng)占有率，提高企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，彰顯產(chǎn)品品質(zhì)

工業(yè)診斷：為您解決工藝、材料中的未知物定性定量分析服務(wù)

檢測(cè)流程

1、寄樣

2、免費(fèi)的初檢

3、報(bào)價(jià)表

4、兩方確認(rèn)，簽署保密協(xié)議書(shū)，開(kāi)使試驗(yàn)

5、7-10個(gè)工作日左右完成試驗(yàn)

6、中后期服務(wù)，郵寄檢測(cè)報(bào)告!

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)參考

CEI EN 50513-2010太陽(yáng)能晶片。太陽(yáng)能電池制造用晶體硅晶片的數(shù)據(jù)表和產(chǎn)品信息

CEI EN 62047-9-2012半導(dǎo)體器件.微機(jī)電器件.第9部分:微機(jī)電系統(tǒng)的晶片間鍵合強(qiáng)度測(cè)量

CEI EN 62276-2013聲表面波器件用單晶晶片.規(guī)范和測(cè)量方法

DIN EN 62047-9-2012半導(dǎo)體器件 微電機(jī)器件 第9部分：微電機(jī)系統(tǒng)用晶片與晶片粘結(jié)強(qiáng)度的測(cè)量

DIN EN 62276-2006聲表面波設(shè)備用單晶片 規(guī)范和測(cè)量方法

GB/T 5238-2019鍺單晶和鍺單晶片

GB/T 11073-2007硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法

GB/T 11297.6-1989銻化銦單晶位錯(cuò)蝕坑的腐蝕顯示及測(cè)量方法

GB/T 13387-2009硅及其它電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法

GB/T 14844-2018半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法

GB/T 16595-2019晶片通用網(wǎng)格規(guī)范

GB/T 16596-2019確定晶片坐標(biāo)系規(guī)范

GB/T 18852-2020無(wú)損檢測(cè) 超聲檢測(cè) 測(cè)量接觸探頭聲束特性的參考試塊和方法

GB/T 19921-2018硅拋光片表面顆粒測(cè)試方法

GB/T 20229-2006磷化鎵單晶

GB/T 24578-2015硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測(cè)試方法

GB/T 25188-2010硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的測(cè)量 X射線(xiàn)光電子能譜法

GB/T 26066-2010硅晶片上淺腐蝕坑檢測(cè)的測(cè)試方法

GB/T 26070-2010化合物半導(dǎo)體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測(cè)試方法

GB/T 26071-2018太陽(yáng)能電池用硅單晶片